半导体

光刻技术是现代微电子工业中至关重要的一项制造工艺，它的发展与半导体器件的不断微缩和集成密度的提高密切相关。

砷化镓（Gallium Arsenide，GaAs）作为一种重要的半导体材料，具有优良的电学特性和高速电子运输能力，因此在半导体领域有着广泛的应用。

氮化铝（Aluminum Nitride，简称AlN）是一种重要的无机材料，具有优良的导热性、电绝缘性和化学稳定性，因此在电子器件、照明、散热器等领域有广泛应用。

这场革命始于 1971 年英特尔推出的Intel 4004芯片（4 Bit, 2300 Transistors），紧随其后的是该公司推出的Intel 8008芯片（8 Bit, 3098 Transistors）。事实上，微处理器诞生的故事要丰富得多。德州仪器（Texas Instruments）推出的一款被遗忘的TMX 1795芯片（8 Bit, 3078 Transistors）曾经击败了Intel 8008芯片，但却最终被市场遗忘。

碳化硅（SiC）是一种极其坚硬的硅和碳形成类似于金刚石的强共价键的的晶体化合物。其具有高导热性、高温强度、低热膨胀性和耐化学反应性，其导电率介于金属和绝缘材料之间。这一特性与其热特性相结合，使碳化硅成为传统硅基半导体的替代品。

摩尔定律的逐渐终结绝非进步的终结，而是将开启信息技术的新时代，因为研究和开发的重点将从长期存在的技术的小型化转移到新设备、新集成技术的协调引入，以及新的计算架构。

摩尔定律观察到集成电路 (IC) 中的晶体管组件的数量大约每两年翻一番。摩尔定律是否可以继续指导当前的集成电路工业市场？这是一个非常复杂且具有挑战性的问题，随着科学技术的快速发展，这个行业已经逐渐发展成为了复杂的交叉学科领域。我们不妨回到1965年摩尔定律最初诞生那一刻来一起回顾这个指导着现代集成电路发展的重要理论。

超高质量表面声波滤波器I.H.P. SAW具有新颖的多层结构（钽酸锂/二氧化硅/氮化铝/硅衬底），可将SAW表面声波能量限制在基板表面区域，并表现出极高的品质（Q）因数、较低的频率温度系数（TCF）和优化的机电耦合系数（K2）。日本村田制造所（Murata）在IEEE IUS发表的原创作品无疑颠覆了业内一直以来对SAW表面声波滤波器的认知，推动了行业的发展。