射频半导体

砷化镓（Gallium Arsenide，GaAs）作为一种重要的半导体材料，具有优良的电学特性和高速电子运输能力，因此在半导体领域有着广泛的应用。

氮化铝（Aluminum Nitride，简称AlN）是一种重要的无机材料，具有优良的导热性、电绝缘性和化学稳定性，因此在电子器件、照明、散热器等领域有广泛应用。

超高质量表面声波滤波器I.H.P. SAW具有新颖的多层结构（钽酸锂/二氧化硅/氮化铝/硅衬底），可将SAW表面声波能量限制在基板表面区域，并表现出极高的品质（Q）因数、较低的频率温度系数（TCF）和优化的机电耦合系数（K2）。日本村田制造所（Murata）在IEEE IUS发表的原创作品无疑颠覆了业内一直以来对SAW表面声波滤波器的认知，推动了行业的发展。

代表了博通FBAR产品器件另一个典型结构即其晶圆级封装(WLP, Wafer Level Package)结构，博通公司称之为“Micro-Cap”，使用Au-Au键合，带凹槽的Silicon Cap wafer实现带空气腔的WLP。该结构是博通公司FBAR产品具有高可靠性高稳定性的关键，是其核心专利技术之一。

博通是首批商业化薄膜体声学滤波器(FBAR)的公司之一，其FBAR滤波器具有明显的技术优势，可让移动手机在当今拥挤的 RF 频谱中更高效地运行。其核心专利US9219464B2展示了四个关键结构特征部位，博通公司的核心专利也围绕其布局。

高峰论坛开元通信被公开指证剽窃。用事实说话：深度探索还原Broadcom的FBAR技术，审视每一个核心专利的关键技术细节。希望国内自研FBAR器件的公司能持续自研道路，发展原创设计并积累技术，早日在国际舞台直面竞争而不落下风。